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 BGA封装技术

  20世纪90年代随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用,LSI、VLSI、ULSI相继出现,芯片集成度不断提高,I / O引脚数急剧增加,功耗也随之增大,对集成电路封装的要求也更加严格。为满足发展的需要,在原有封装方式的基础上,又增添了新的方式----球栅阵列封装,简称BGA(Ball Grid Array Package)。
  随着芯片集成技术的发展和电子产品向微型化方向的发展,对芯片封装技术提出了新的挑战。芯片的封装技术已经历经好几代的变迁 (从DIP、TSOP、BGA、CSP),技术指标一代比一代先进,包括芯片面积与封装面积之比越来越接近,适用频率越来越高,耐温性能越来越好,以及引脚数增多,引脚间距减小,重量减小,可靠性提高,使用更加方便等等。
  BGA封装技术的发展越来越成熟,已经被应用到很多集成电路上,这种封装技术大大缩小了集成电路的体积,增强电路的功能,减小功耗,降低生产成本。

 锡球特点

  本产品的纯度和圆球度均非常高,适用于BGA,CSP等尖端封裝技术及微细焊接使用,使用时具自动校正能力並可容许相对较大的置放误差,无端面平整度問題。


 锡球合金成份
 

合金成分 熔点(℃) 用途
固相线 液相线
Sn63/Pb37 183 183 常用锡球
Sn62/Pb36/Ag2 179 179 用于含银电极元件的焊接
Sn10/Pb90 268 300 无铅焊接
Sn96.5/Ag3.5 221 221 无铅焊接
Sn95.5/Ag4/Cu0.5 217 217 无铅焊接
Sn96.5/Ag3/Cu0.5 217 217 无铅焊接




 
  锡球型号、包装

直径(mm) 公差(mm) 真圆度(mm) 粒 / 瓶 克 / 瓶(净重)
0.25 ±0.010 <0.008 100万粒 68.92g
0.30 ±0.010 <0.010 100万粒 119.05g
0.35 ±0.010 <0.010 100万粒 189.02g
0.40 ±0.012 <0.011 50万粒 141.50g
0.45 ±0.012 <0.012 50万粒 200.85g
0.50 ±0.015 <0.013 25万粒 137.80g
0.55 ±0.015 <0.015 25万粒 188.10g
0.60 ±0.018 <0.016 25万粒 238.08g
0.65 ±0.018 <0.018 25万粒 303.11g
0.70 ±0.020 <0.019 25万粒 378.52g
0.76 ±0.020 <0.020 25万粒 484.45g
0.889 ±0.025 <0.025 12.5万粒 387.66g
 
  锡球物理参数

物理特性 熔点
(℃)
密度
(mg/cm3)
导电性 热膨胀系数
in/in
℃@20℃
导热性
w/cm
℃@85℃
抗剪强度PSI 抗张强度PSI
Sn63/Pb37 183 8.38 11.46 25.2 0.5 6200 7500
Sn62/Pb36/Ag2 179 8.42 11.85 27.1 0.5 7540 7540

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